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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | E-LALF-W2 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.80 |
| Factory Lead Time： | 11 weeks | 风险等级： | 1.25 |
| 应用： | GENERAL PURPOSE | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 1 V |
| JESD-30 代码： | E-LALF-W2 | JESD-609代码： | e2 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 100 A | 元件数量： | 1 |
| 相数： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 最大输出电流： | 3 A | 封装主体材料： | GLASS |
| 封装形状： | ELLIPTICAL | 封装形式： | LONG FORM |
| 最大重复峰值反向电压： | 1000 V | 最大反向电流： | 1 µA |
| 最大反向恢复时间： | 7.5 µs | 子类别： | Rectifier Diodes |
| 表面贴装： | NO | 技术： | AVALANCHE |
| 端子面层： | Tin/Silver (Sn96.5Ag3.5) | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BYW86TAP | VISHAY |
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暂无描述 |
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| BYW86-TAP | VISHAY |
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Rectifier Diode, 1 Element, 3A, 1000V V(RRM), |
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| BYW86-TR | VISHAY |
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Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 3A, 1000V V(RRM), Silicon, HALOGEN FREE AN |
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| BYW88 | NJSEMI |
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Diode Switching 200V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC |
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| BYW88-100 | STMICROELECTRONICS |
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12A, 100V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
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| BYW88-1000 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
12A, 1000V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
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| BYW88-100R | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
12A, 100V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
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| BYW88-200R | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
12A, 200V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
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| BYW88-300 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
12A, 300V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
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| BYW88-300R | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
12A, 300V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
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解读BAV99LT1数据手册：产品特性、电气参数及替换型号推荐
资料解析：P82B96TD引脚图说明、电气参数
ATA6621N数据手册解读：产品特性、引脚图信息、电气参数
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