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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.80 |
| 风险等级： | 5.39 | 应用： | GENERAL PURPOSE |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF)： | 1 V | JESD-30 代码： | E-LALF-W2 |
| JESD-609代码： | e2 | 最大非重复峰值正向电流： | 100 A |
| 元件数量： | 1 | 相数： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 最大输出电流： | 3 A |
| 封装主体材料： | GLASS | 封装形状： | ELLIPTICAL |
| 封装形式： | LONG FORM | 最大重复峰值反向电压： | 800 V |
| 最大反向电流： | 1 µA | 最大反向恢复时间： | 7.5 µs |
| 子类别： | Rectifier Diodes | 表面贴装： | NO |
| 技术： | AVALANCHE | 端子面层： | Tin/Silver (Sn96.5Ag3.5) |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | AXIAL |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BYW85TR | VISHAY |
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Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 3A, 800V V(RRM), Silicon, HALOGEN FREE AND |
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| BYW86 | VISHAY |
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Silicon Mesa Rectifiers |
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| BYW86GP | GULFSEMI |
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SINTERED GLASS JUNCTION PLASTIC RECTIFIER VOLTAGE:200 TO 1000V CURRENT: 3.0A |
|
| BYW86TAP | VISHAY |
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暂无描述 |
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| BYW86-TAP | VISHAY |
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Rectifier Diode, 1 Element, 3A, 1000V V(RRM), |
|
| BYW86-TR | VISHAY |
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Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 3A, 1000V V(RRM), Silicon, HALOGEN FREE AN |
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| BYW88 | NJSEMI |
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Diode Switching 200V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC |
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| BYW88-100 | STMICROELECTRONICS |
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12A, 100V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
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| BYW88-1000 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
12A, 1000V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
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| BYW88-100R | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
12A, 100V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
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解读BAV99LT1数据手册：产品特性、电气参数及替换型号推荐
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