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BYV72

更新时间： 2024-11-12 13:06:03
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 二极管
页数 文件大小 规格书
6页 43K
描述
DIODE 30 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode

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BYV72 技术参数

生命周期：Active包装说明：R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.71
Is Samacsys：N二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：2端子数量：3
最大输出电流：30 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：200 V
最大反向恢复时间：0.028 µs表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
Base Number Matches：1

BYV72 数据手册

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Philips Semiconductors  
Product specification  
Rectifier diodes  
ultrafast, rugged  
BYV72EF series  
FEATURES  
SYMBOL  
QUICK REFERENCE DATA  
• Low forward volt drop  
• Fast switching  
• Soft recovery characteristic  
• Reverse surge capability  
• High thermal cycling performance  
• Isolated mounting tab  
VR = 150 V/ 200 V  
a1  
1
a2  
3
VF ≤ 0.9 V  
IO(AV) = 20 A  
IRRM = 0.2 A  
trr ≤ 28 ns  
k
2
GENERAL DESCRIPTION  
PINNING  
SOT199  
Dual, ultra-fast, epitaxial rectifier  
diodes intended for use as output  
rectifiersinhighfrequencyswitched  
mode power supplies.  
PIN  
DESCRIPTION  
anode 1 (a)  
cathode (k)  
case  
1
2
The BYV72EF series is supplied in  
the conventional leaded SOT199  
package.  
3
anode 2 (a)  
isolated  
tab  
1
2
3
LIMITING VALUES  
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134).  
SYMBOL PARAMETER CONDITIONS  
MIN.  
MAX.  
UNIT  
BYV72EF  
-150  
150  
150  
150  
-200  
200  
200  
200  
VRRM  
VRWM  
VR  
Peak repetitive reverse voltage  
Crest working reverse voltage  
Continuous reverse voltage  
-
-
-
V
V
V
Ths ≤ 125˚C  
IO(AV)  
IFRM  
IFSM  
Average rectified output current square wave  
-
20  
30  
A
(both diodes conducting)1  
δ = 0.5; Ths ≤ 78 ˚C  
Repetitive peak forward current t = 25 µs; δ = 0.5;  
-
A
per diode  
Non-repetitive peak forward  
current per diode  
Ths ≤ 78 ˚C  
t = 10 ms  
t = 8.3 ms  
-
-
150  
160  
A
A
sinusoidal; with reapplied  
VRWM(max)  
Repetitive peak reverse current tp = 2 µs; δ = 0.001  
IRRM  
IRSM  
-
-
0.2  
0.2  
A
A
per diode  
Non-repetitive peak reverse  
current per diode  
tp = 100 µs  
Tstg  
Tj  
Storage temperature  
Operating junction temperature  
-40  
-
150  
150  
˚C  
˚C  
1 Neglecting switching and reverse current losses.  
July 1998  
1
Rev 1.100  
123456

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与BYV72相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BYV72-100 PHILIPS

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 		Rectifier Diode, 30A, 100V V(RRM),
BYV72-100 NXP

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 		DIODE 30 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode
BYV72-100 YAGEO

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 15A, 100V V(RRM), Silicon,
BYV72-150 YAGEO

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 15A, 150V V(RRM), Silicon,
BYV72-150 PHILIPS

获取价格

 		Rectifier Diode, 30A, 150V V(RRM),
BYV72-200 YAGEO

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 15A, 200V V(RRM), Silicon,
BYV72-200 PHILIPS

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 		Rectifier Diode, 30A, 200V V(RRM),
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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 15A, 50V V(RRM), Silicon,
BYV72-50 PHILIPS

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 		Rectifier Diode, 30A, 50V V(RRM),
BYV72E NXP

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 		DIODE 30 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode

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