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BYV72E-200

更新时间: 2024-09-17 19:41:07
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 局域网功效二极管
页数 文件大小 规格书
4页 119K
描述
DIODE 30 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode

BYV72E-200 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:R-PSFM-T3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.84
其他特性:WITHSTAND REVERSE VOLTAGE TRANSIENTS, SURGE CAPABILITY应用:EFFICIENCY
外壳连接:CATHODE配置:COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码:R-PSFM-T3最大非重复峰值正向电流:160 A
元件数量:2相数:1
端子数量:3最大输出电流:30 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:200 V最大反向恢复时间:0.028 µs
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLEBase Number Matches:1

BYV72E-200 数据手册

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