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BYV430K-300P

更新时间： 2022-02-26 14:16:50
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瑞能 - WEEN /
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11页 340K
描述
Dual ultrafast power diode

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BYV430K-300P 数据手册

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WeEn Semiconductors  
BYV430K-300P  
Dual ultrafast power diode  
aaa-018247  
aaa-018248  
4
3
2
40  
10  
I
F(AV)  
(A)  
I
FSM  
(A)  
105 °C  
30  
10  
20  
10  
0
10  
I
I
F
FSM  
t
t
p
T
= 25 °C max  
j(init)  
10  
-5  
10  
-4  
-3  
-2  
10  
-50  
0
50  
100  
150  
T
200  
(°C)  
10  
10  
t (s)  
p
mb  
Fig. 3. Average forward current as a function of  
mounting base temperature; per diode; maximum  
values  
Fig. 4. Non-repetitive peak forward current as a function  
of pulse width; sinusoidal waveform; per diode;  
maximum values  
©
BYV430K-300P  
All information provided in this document is subject to legal disclaimers.  
WeEn Semiconductors Co., Ltd. 2018. All rights reserved  
Product data sheet  
26 September 2018  
4 / 11  
 
 
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