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BYV28-100T/R

更新时间: 2024-11-23 13:06:03
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 整流二极管
页数 文件大小 规格书
16页 103K
描述
1.9A, 100V, SILICON, RECTIFIER DIODE

BYV28-100T/R 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:E-LALF-W2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.44
应用:GENERAL PURPOSE外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):1.1 V
JESD-30 代码:E-LALF-W2最大非重复峰值正向电流:90 A
元件数量:1相数:1
端子数量:2最高工作温度:175 °C
最大输出电流:1.9 A封装主体材料:GLASS
封装形状:ELLIPTICAL封装形式:LONG FORM
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:100 V
最大反向电流:1 µA最大反向恢复时间:0.025 µs
表面贴装:NO技术:AVALANCHE
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
Base Number Matches:1

BYV28-100T/R 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
BYV28 series  
Ultra fast low-loss  
controlled avalanche rectifiers  
1997 Nov 24  
Product specification  
Supersedes data of 1996 Oct 02  

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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DIODE 3.5 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED, GLASS PACKA
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