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BYV27-150-TAP

更新时间： 2024-10-29 12:52:47
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 整流二极管局域网超快恢复二极管快速恢复二极管
页数 文件大小 规格书
4页 122K
描述
Ultra-Fast Avalanche Sinterglass Diode

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BYV27-150-TAP 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：DO-204
包装说明：E-LALF-W2针数：2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.28
Is Samacsys：N其他特性：LOW LEAKAGE CURRENT
应用：ULTRA FAST RECOVERY外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.88 V
JEDEC-95代码：DO-204APJESD-30 代码：E-LALF-W2
JESD-609代码：e2湿度敏感等级：1
最大非重复峰值正向电流：50 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：175 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：2 A封装主体材料：GLASS
封装形状：ELLIPTICAL封装形式：LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：260认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：150 V最大反向恢复时间：0.025 µs
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：NO
技术：AVALANCHE端子面层：Tin/Silver (Sn/Ag)
端子形式：WIRE端子位置：AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30Base Number Matches：1

BYV27-150-TAP 数据手册

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BYV27-50, BYV27-100, BYV27-150, BYV27-200  
www.vishay.com  
Vishay Semiconductors  
Ultra-Fast Avalanche Sinterglass Diode  
FEATURES  
• Controlled avalanche characteristic  
• Low forward voltage  
• Ultra fast recovery time  
• Glass passivated junction  
• Hermetically sealed package  
• Material categorization:  
949539  
For definitions of compliance please see  
www.vishay.com/doc?99912  
MECHANICAL DATA  
APPLICATIONS  
Case: SOD-57  
• Very fast rectification diode e.g. for switch mode power  
Terminals: plated axial leads, solderable per MIL-STD-750,  
supply  
method 2026  
Polarity: color band denotes cathode end  
Mounting position: any  
Weight: approx. 369 mg  
ORDERING INFORMATION (Example)  
DEVICE NAME  
ORDERING CODE  
TAPED UNITS  
MINIMUM ORDER QUANTITY  
BYV27-200  
BYV27-200-TR  
5000 per 10" tape and reel  
5000 per ammopack  
25 000  
25 000  
BYV27-200  
BYV27-200-TAP  
PARTS TABLE  
PART  
TYPE DIFFERENTIATION  
VR = 50 V; IF(AV) = 2 A  
PACKAGE  
SOD-57  
SOD-57  
SOD-57  
SOD-57  
BYV27-50  
BYV27-100  
BYV27-150  
BYV27-200  
VR = 100 V; IF(AV) = 2 A  
V
V
R = 150 V; IF(AV) = 2 A  
R = 200 V; IF(AV) = 2 A  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Tamb = 25 °C, unless otherwise specified)  
PARAMETER  
TEST CONDITION  
PART  
SYMBOL  
VALUE  
55  
UNIT  
V
BYV27-50  
BYV27-100  
BYV27-150  
BYV27-200  
BYV27-50  
BYV27-100  
VRSM  
VRSM  
110  
165  
220  
50  
V
Peak reverse voltage, non repetitive  
See electrical characteristics  
VRSM  
V
VRSM  
V
V
R = VRRM  
R = VRRM  
V
V
100  
150  
200  
50  
V
Reverse voltage = repetitive peak reverse  
voltage  
See electrical characteristics  
tp = 10 ms, half sine wave  
BYV27-150 VR = VRRM  
BYV27-200 R = VRRM  
IFSM  
V
V
V
Peak forward surge current  
Repetitive peak forward current  
Average forward current  
A
IFRM  
15  
A
IF(AV)  
2
A
Pulse energy in avalanche  
mode, non repetitive (inductive  
load switch off)  
I(BR)R = 1 A, Tj = 175 °C  
ER  
20  
mJ  
°C  
Junction and storage temperature range  
Tj = Tstg  
- 55 to + 175  
MAXIMUM THERMAL RESISTANCE (Tamb = 25 °C, unless otherwise specified)  
PARAMETER  
TEST CONDITION  
SYMBOL  
VALUE  
UNIT  
l = 10 mm, TL = constant  
RthJA  
45  
K/W  
K/W  
Junction ambient  
On PC board with spacing 25 mm  
RthJA  
100  
Rev. 1.8, 04-Sep-12  
Document Number: 86042  
1
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
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