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| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | DO-204 |
| 包装说明： | E-LALF-W2 | 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.25 |
| Is Samacsys： | N | 应用： | EFFICIENCY |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| JEDEC-95代码： | DO-204AP | JESD-30 代码： | E-LALF-W2 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 50 A | 元件数量： | 1 |
| 相数： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最大输出电流： | 2 A | 封装主体材料： | GLASS |
| 封装形状： | ELLIPTICAL | 封装形式： | LONG FORM |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 200 V |
| 最大反向恢复时间： | 0.025 µs | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | AXIAL |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BYV27-200AMO | NXP |
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暂无描述 |
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| BYV27-200-E3/54 | VISHAY |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, 200V V(RRM), Silicon, DO-204AP, ROHS COMPLIANT, G |
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| BYV27-200T/R | NXP |
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DIODE 1.3 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode |
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| BYV27-200T/R | PHILIPS |
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Rectifier Diode, 1 Element, 1.3A, 200V V(RRM), |
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| BYV27-200-TAP | VISHAY |
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Ultra-Fast Avalanche Sinterglass Diode |
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| BYV27-200-TR | VISHAY |
获取价格 |
Ultra-Fast Avalanche Sinterglass Diode |
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| BYV27-200Z | BL Galaxy Electrical |
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SUPER FAST RECTIFIER |
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| BYV27-2GE | GULFSEMI |
获取价格 |
GLASS PASSIVATED JUNCTION ULTRAFAST EFFICIENT |
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| BYV27-300 | BL Galaxy Electrical |
获取价格 |
SUPER FAST RECTIFIER |
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| BYV27-300 | NXP |
获取价格 |
Ultra fast low-loss controlled avalanche rectifiers |
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