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BYV27-400

更新时间： 2024-01-16 05:53:53

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2页	315K
描述
2A plug-in fast recovery diode 400V DO-15 series

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BYV27-400 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	O-PALF-W2	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.62	应用：	SUPER FAST RECOVERY
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	1.05 V	JESD-30 代码：	O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流：	50 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
最大输出电流：	1.9 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
最大重复峰值反向电压：	400 V	最大反向电流：	5 µA
最大反向恢复时间：	0.05 µs	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	Base Number Matches：	1

BYV27-400 数据手册

BYV27-50 - BYV27-600

SUPER FAST RECTIFIER DIODES

VOLTAGE RANGE: 50 - 600V

CURRENT: 2.0 A

Features

Low leakage

Low forward voltage drop

High current capability

Easily cleaned with alcohol,Isopropanol

and similar solvents

Mechanical Data

Case : DO-15 Molded plastic

Epoxy : UL94V-O rate flame retardant

Lead : Axial lead solderable per MIL-STD-202,

Method 208 guaranteed

Polarity : Color band denotes cathode end

Mounting position : Any

DO-15

Min

Dim

Max

—

25.40

5.50

7.62

0.889

3.60

0.686

2.60

Weight : 0.465 gram

All Dimensions in mm

T_A= 25ꢀC unless otherwise specified

Maximum Ratings and Electrical Characteristics

For capacitive load, derate current by 20%.

Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.

BYV27

-100

BYV27

-50

BYV27 BYV27 BYV27 BYV27 BYV27

Symbol

Characteristic

Unit

-150

-200

-300

-400

-600

Maximum recurrent peak reverse voltage

Maximum RMS voltage

100

150

105

150

200

140

200

300

210

300

600

420

600

V_RRM

V_RMS

V_DC

400

280

400

Maximum DC blocking voltage

100

Maximum average forw ard rectified current

I_F(AV)

2.0

9.5mm lead length,

@T_A=75

Peak forw ard surge current

10ms single half-sine-w ave

superimposed on rated load

50.0

40.0

1.25

I_FSM

@T_J=125

Maximum instantaneous forw ard voltage

@ I_F=I_F(AV)

0.98

1.05

V_F

I_R

Maximum reverse current

@T_A=25

5.0

at rated DC blocking voltage @T_A=100

Maximum reverse recovery time (Note1)

100.0

t_rr

Typical junction capacitance

Typical thermal resistance

(Note2)

(Note3)

C_J

100

R_θ

Operating junction temperature range

Storage temperature range

- 55 ----- + 150

T_J

T_STG

NOTE: 1. Measured with I_F=0.5A, I_R=1A, I_rr=0.25A.

2. Measured at 1.0MHz and applied rev erse v oltage of 4.1V DC.

3. Thermal resistance f rom junction to ambient.

1 of 2

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