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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | ISOTOP | 包装说明： | ISOTOP-4 |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.80 |
| 风险等级： | 5.63 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | FREEWHEELING DIODE | 应用： | ULTRA FAST RECOVERY |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF)： | 0.85 V | JESD-30 代码： | R-PUFM-X4 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 1600 A | 元件数量： | 2 |
| 相数： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 最大输出电流： | 100 A | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 最大功率耗散： | 200 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 200 V |
| 最大反向电流： | 100 µA | 最大反向恢复时间： | 0.08 µs |
| 反向测试电压： | 200 V | 子类别： | Other Diodes |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Nickel (Ni) |
| 端子形式： | UNSPECIFIED | 端子位置： | UPPER |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| STTH20002TV1 | STMICROELECTRONICS |
类似代替  |
TURBO 2 ULTRAFAST HIGH VOLTAGE RECTIFIER |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BYV255V50 | ETC |
获取价格 |
ARRAY OF INDEPENDENT DIODES|MODULE-S |
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| BYV25D-600 | NXP |
获取价格 |
Rectifier diode, ultrafast |
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| BYV25D-600 | WEEN |
获取价格 |
Ultrafast power diode in a SOT428 (DPAK) surface-mountable plastic package. |
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| BYV25D-600,118 | NXP |
获取价格 |
BYV25D-600 |
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| BYV25F-600 | NXP |
获取价格 |
600V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC, PLASTIC PACKAGE-2 |
|
| BYV25F-600 | WEEN |
获取价格 |
Enhanced ultrafast power diode in a SOD59 (2-lead TO-220AC) plastic package. |
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| BYV25F-600,127 | NXP |
获取价格 |
BYV25F-600 |
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| BYV25FB-600 | NXP |
获取价格 |
Enhanced ultrafast power diode |
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| BYV25FB-600 | WEEN |
获取价格 |
Enhanced ultrafast power diode in a SOT404 (D2PAK) plastic package |
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| BYV25FB-600,118 | NXP |
获取价格 |
BYV25FB-600 |
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国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
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