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BYV25D-600

更新时间: 2024-11-14 17:00:59
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瑞能 - WEEN /
页数 文件大小 规格书
10页 259K
描述
Ultrafast power diode in a SOT428 (DPAK) surface-mountable plastic package.

BYV25D-600 技术参数

是否Rohs认证:符合生命周期:Active
包装说明:R-PSIP-T2Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.73Is Samacsys:N
应用:ULTRA FAST SOFT RECOVERY外壳连接:CATHODE
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODEJEDEC-95代码:TO-252
JESD-30 代码:R-PSIP-T2JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1最大非重复峰值正向电流:66 A
元件数量:1相数:1
端子数量:2最大输出电流:5 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE峰值回流温度(摄氏度):260
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:600 V
最大反向恢复时间:0.06 µs表面贴装:NO
端子面层:Tin (Sn)端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:30
Base Number Matches:1

BYV25D-600 数据手册

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BYV25D-600  
Ultrafast power diode  
26 September 2018  
Product data sheet  
1. General description  
Ultrafast power diode in a SOT428 (DPAK) surface-mountable plastic package.  
2. Features and benefits  
High thermal cycling performance  
Low switching losses  
Low thermal resistance  
Soft recovery minimizes power-consuming oscillations  
Surface-mountable package  
3. Applications  
Discontinuous Current Mode (DCM) Power Factor Correction (PFC)  
High frequency switched-mode power supplies  
4. Quick reference data  
Table 1. Quick reference data  
Symbol  
VR  
Parameter  
Conditions  
Min  
Typ  
Max  
600  
5
Unit  
V
reverse voltage  
DC  
-
-
-
-
IF(AV)  
average forward  
current  
δ = 0.5 ; Tmb ≤ 132 °C; square-wave  
pulse; Fig. 1; Fig. 2; Fig. 3  
A
IFSM  
non-repetitive peak  
forward current  
tp = 10 ms; Tj(init) = 25 °C; sine-wave  
pulse; Fig. 4  
-
-
-
-
60  
66  
A
A
tp = 8.3 ms; Tj(init) = 25 °C; sine-wave  
pulse  
Static characteristics  
VF  
forward voltage  
IF = 5 A; Tj = 25 °C; Fig. 6  
IF = 5 A; Tj = 150 °C; Fig. 6  
-
-
1.12  
0.97  
1.3  
V
V
1.11  
Dynamic characteristics  
trr  
reverse recovery time IF = 1 A; VR = 30 V; dIF/dt = 100 A/µs;  
Tj = 25 °C; Fig. 7  
-
30  
50  
ns  
 
 
 
 

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