BYV25FB-600

更新时间： 2024-11-13 12:55:51

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Enhanced ultrafast power diode

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BYV25FB-600 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-263	包装说明：	R-PSSO-G2
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.65
应用：	ULTRA FAST SOFT RECOVERY POWER	外壳连接：	CATHODE
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	最大非重复峰值正向电流：	66 A
元件数量：	1	相数：	1
端子数量：	2	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	600 V	最大反向恢复时间：	0.035 µs
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

BYV25FB-600 数据手册

BYV25FB-600

D2P

Enhanced ultrafast power diode

Rev. 02 — 7 March 2011

Product data sheet

1. Product profile

1.1 General description

Enhanced ultrafast power diode in a SOT404 (D2PAK) plastic package

1.2 Features and benefits

 High thermal cycling performance

 Low on-state losses

 Soft recovery characteristic

 Surface-mountable package

 Low thermal resistance

1.3 Applications

 Dual Mode (DCM and CCM) PFC

 Power Factor Correction (PFC) for

Interleaved Topology

1.4 Quick reference data

Table 1.

Symbol

V_RRM

Quick reference data

Parameter

Conditions

Min Typ Max Unit

repetitive peak

reverse voltage

600

I_F(AV)

average forward

current

square-wave pulse; δ = 0.5 ;

T_mb≤ 126 °C; see Figure 1;

see Figure 2

Static characteristics

V_F

forward voltage

I_F= 5 A; T_j= 25 °C;

see Figure 5

1.3

1.1

1.9

1.7

I_F= 5 A; T_j= 150 °C;

see Figure 5

Dynamic characteristics

t_rr

reverse recovery I_F= 1 A; V_R= 30 V;

17.5 35

time

dI_F/dt = 100 A/µs; T_j= 25 °C;

see Figure 6

12 3 4 5 6 7...12

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