BYV25FB-600

更新时间： 2024-02-20 18:03:54

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Enhanced ultrafast power diode

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BYV25FB-600 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	R-PSSO-G2
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.65
应用：	ULTRA FAST SOFT RECOVERY POWER	外壳连接：	CATHODE
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	最大非重复峰值正向电流：	66 A
元件数量：	1	相数：	1
端子数量：	2	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	600 V	最大反向恢复时间：	0.035 µs
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

BYV25FB-600 数据手册

BYV25FB-600

NXP Semiconductors

Enhanced ultrafast power diode

7. Package outline

Plastic single-ended surface-mounted package (D2PAK); 3 leads (one lead cropped)

SOT404

mounting

base

2.5

5 mm

scale

DIMENSIONS (mm are the original dimensions)

UNIT

max.

4.50

4.10

1.40

1.27

0.85

0.60

0.64

0.46

1.60

1.20

10.30

9.70

2.90 15.80 2.60

2.10 14.80 2.20

2.54

REFERENCES

JEDEC JEITA

EUROPEAN

ISSUE DATE

PROJECTION

OUTLINE

VERSION

IEC

05-02-11

06-03-16

SOT404

Fig 8. Package outline SOT404 (D2PAK)

BYV25FB-600

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Product data sheet

Rev. 02 — 7 March 2011

7 of 12

1...4 5 678 9 10...12

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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