BYP300

更新时间： 2024-11-10 22:09:11

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描述
FRED Diode (Fast recovery epitaxial diode Soft recovery characteristics)

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BYP300 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.56
Is Samacsys：	N	应用：	GENERAL PURPOSE
外壳连接：	CATHODE	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码：	TO-218AD	JESD-30 代码：	R-PSFM-T2
JESD-609代码：	e0	最大非重复峰值正向电流：	15 A
元件数量：	1	相数：	1
端子数量：	2	最大输出电流：	4 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	1200 V
最大反向恢复时间：	0.1 µs	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

BYP300 数据手册

BYP 300

Preliminary data

FRED Diode

• Fast recovery epitaxial diode

• Soft recovery characteristics

Type

Package

Ordering Code

C67047-A2250-A2

RRM

FRMS

BYP 300

1200V

6.5A

55ns

TO-218 AD

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Values

Unit

Mean forward current

FAV

T = 90 °C, D = 0.5

RMS forward current

6.5

FRMS

FSM

Surge forward current, sine halfwave, aperiodic

T = 100 °C, f = 50 Hz

Repetitive peak forward current

FRM

T = 100 °C, t ≤ 10 µs

∫

i t value

i dt

A s

T = 100 °C, t = 10 ms

1.1

Repetitive peak reverse voltage

Surge peak reverse voltage

Power dissipation

1200

RRM

RSM

tot

T = 90 °C

Chip or operating temperature

Storage temperature

-40 ... + 150 °C

-40 ... + 150

stg

≤

Thermal resistance, chip case

3.8

K/W

thJC

Thermal resistance, chip-ambient

DIN humidity category, DIN 40 040

IEC climatic category, DIN IEC 68-1

thJA

40 / 150 / 56

Semiconductor Group

09.96

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