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BYP35A3

更新时间： 2024-11-10 22:09:11
品牌 Logo 应用领域
德欧泰克 - DIOTEC 二极管
页数 文件大小 规格书
2页 183K
描述
Silicon Press-Fit-Diodes

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BYP35A3 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：ROHS COMPLIANT, METAL, PRESSFIT-1针数：1
Reach Compliance Code：compliantHTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.76应用：GENERAL PURPOSE
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1.1 V
JESD-30 代码：O-MUPF-P1湿度敏感等级：1
最大非重复峰值正向电流：400 A元件数量：1
相数：1端子数量：1
最高工作温度：215 °C最大输出电流：35 A
封装主体材料：METAL封装形状：ROUND
封装形式：PRESS FIT峰值回流温度（摄氏度）：260
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：300 V
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：NO
端子形式：PIN/PEG端子位置：UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

BYP35A3 数据手册

 浏览型号BYP35A3的Datasheet PDF文件第2页 
BYP 35A05 ... BYP 35A6  
BYP 35K05 ... BYP 35K6  
Silicon Press-Fit-Diodes  
High-temperature diodes  
Silizium-Einpreßdioden  
Hochtemperaturdioden  
Nominal current – Nennstrom  
35 A  
Repetitive peak reverse voltage  
Periodische Spitzensperrspannung  
50…600 V  
Metal press-fit case with plastic cover  
Metall-Einpreßgehäuse mit Plastik-Abdeckung  
Weight approx. – Gewicht ca.  
10 g  
Casting compound has UL classification 94V-0  
Vergußmasse UL94V-0 klassifiziert  
Standard packaging: bulk  
Standard Lieferform: lose im Karton  
Dimensions / Maße in mm  
Maximum ratings  
Grenzwerte  
Type / Typ  
Wire to / Draht an  
Repetitive peak reverse voltage Surge peak reverse voltage  
Periodische Spitzensperrspanng. Stoßspitzensperrspannung  
Anode  
Cathode  
VRRM [V]  
VRSM [V]  
BYP 35A05  
BYP 35A1  
BYP 35A2  
BYP 35A3  
BYP 35A4  
BYP 35A6  
BYP 35K05  
BYP 35K1  
BYP 35K2  
BYP 35K3  
BYP 35K4  
BYP 35K6  
50  
60  
100  
200  
300  
400  
600  
120  
240  
360  
480  
700  
Max. average forward rectified current, R-load  
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last  
TC = 150ꢀC  
f > 15 Hz  
TA = 25ꢀC  
TA = 25ꢀC  
IFAV  
35 A  
110 A 1)  
Repetitive peak forward current  
Periodischer Spitzenstrom  
IFRM  
Peak forward surge current, 50 / 60 Hz half sine-wave  
Stoßstrom für eine 50 / 60 Hz Sinus-Halbwelle  
IFSM  
360 / 400 A  
Rating for fusing – Grenzlastintegral, t <10 ms  
i2t  
Tj  
660 A2s  
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur  
Storage temperature – Lagerungstemperatur  
– 50...+215 ꢀC  
TS – 50...+215 ꢀC  
Maximum pressure – Maximaler Einpreßdruck  
7 kN  
1
)
Max. case temperature TC = 150ꢀC – Max. Gehäusetemperatur TC = 150ꢀC  
78  
28.02.2002  
12

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