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BYM36C/33113

更新时间: 2024-11-24 13:25:59
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12页 386K
描述
DIODE 3 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode

BYM36C/33113 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:O-LALF-W2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.64
Is Samacsys:N应用:FAST SOFT RECOVERY
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1.6 VJESD-30 代码:O-LALF-W2
最大非重复峰值正向电流:65 A元件数量:1
相数:1端子数量:2
最高工作温度:175 °C最低工作温度:-65 °C
最大输出电流:3 A封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:600 V
最大反向电流:5 µA最大反向恢复时间:0.1 µs
表面贴装:NO技术:AVALANCHE
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
Base Number Matches:1

BYM36C/33113 数据手册

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