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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | O-LALF-W2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.64 |
| 应用： | FAST SOFT RECOVERY | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 1.78 V |
| JESD-30 代码： | O-LALF-W2 | 最大非重复峰值正向电流： | 65 A |
| 元件数量： | 1 | 相数： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 最低工作温度： | -65 °C | 最大输出电流： | 2.9 A |
| 封装主体材料： | GLASS | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 800 V | 最大反向电流： | 5 µA |
| 最大反向恢复时间： | 0.15 µs | 表面贴装： | NO |
| 技术： | AVALANCHE | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BYM36D/21112 | NXP |
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DIODE 2.9 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode |
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| BYM36D/21113 | NXP |
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DIODE 2.9 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode |
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| BYM36D/21133 | NXP |
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DIODE 2.9 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode |
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| BYM36D/22112 | NXP |
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DIODE 2.9 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode |
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| BYM36D/22113 | NXP |
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DIODE 2.9 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode |
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| BYM36D/22133 | NXP |
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DIODE 2.9 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode |
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| BYM36D/30112 | NXP |
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DIODE 2.9 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode |
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| BYM36D/30113 | NXP |
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DIODE 2.9 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode |
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| BYM36D/30133 | NXP |
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DIODE 2.9 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode |
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| BYM36D/31112 | NXP |
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DIODE 2.9 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode |
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