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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | O-LALF-W2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.64 |
| Is Samacsys： | N | 应用： | FAST SOFT RECOVERY |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF)： | 1.78 V | JESD-30 代码： | O-LALF-W2 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 65 A | 元件数量： | 1 |
| 相数： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 最低工作温度： | -65 °C |
| 最大输出电流： | 2.9 A | 封装主体材料： | GLASS |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 800 V |
| 最大反向电流： | 5 µA | 最大反向恢复时间： | 0.15 µs |
| 表面贴装： | NO | 技术： | AVALANCHE |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | AXIAL |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BYM36D/20133 | NXP |
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DIODE 2.9 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode |
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| BYM36D/21112 | NXP |
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DIODE 2.9 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode |
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| BYM36D/21113 | NXP |
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DIODE 2.9 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode |
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| BYM36D/21133 | NXP |
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DIODE 2.9 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode |
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| BYM36D/22112 | NXP |
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DIODE 2.9 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode |
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| BYM36D/22113 | NXP |
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DIODE 2.9 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode |
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| BYM36D/22133 | NXP |
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DIODE 2.9 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode |
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| BYM36D/30112 | NXP |
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DIODE 2.9 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode |
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| BYM36D/30113 | NXP |
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DIODE 2.9 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode |
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| BYM36D/30133 | NXP |
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DIODE 2.9 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode |
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