生命周期: | Obsolete | 包装说明: | O-LALF-W2 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.10.00.80 | 风险等级: | 5.64 |
Is Samacsys: | N | 应用: | FAST SOFT RECOVERY |
外壳连接: | ISOLATED | 配置: | SINGLE |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | RECTIFIER DIODE |
最大正向电压 (VF): | 1.6 V | JESD-30 代码: | O-LALF-W2 |
最大非重复峰值正向电流: | 65 A | 元件数量: | 1 |
相数: | 1 | 端子数量: | 2 |
最高工作温度: | 175 °C | 最低工作温度: | -65 °C |
最大输出电流: | 3 A | 封装主体材料: | GLASS |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | LONG FORM |
认证状态: | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压: | 600 V |
最大反向电流: | 5 µA | 最大反向恢复时间: | 0.1 µs |
表面贴装: | NO | 技术: | AVALANCHE |
端子形式: | WIRE | 端子位置: | AXIAL |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BYM36C/41113 | NXP |
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DIODE 3 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode | |
BYM36C/41133 | NXP |
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DIODE 3 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode | |
BYM36C/50112 | NXP |
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DIODE 3 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode | |
BYM36C/50113 | NXP |
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DIODE 3 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode | |
BYM36C/50133 | NXP |
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DIODE 3 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode | |
BYM36CAMO | PHILIPS |
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Rectifier Diode, 1 Element, 3A, 600V V(RRM), | |
BYM36CGP | GULFSEMI |
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SINTERED GLASS JUNCTION FAST SWITCHING PLASTI | |
BYM36CT/R | NXP |
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1.25A, 600V, SILICON, RECTIFIER DIODE | |
BYM36C-TAP | VISHAY |
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Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 3A, 600V V(RRM), Silicon, HALOGEN FREE AND | |
BYM36C-TR | VISHAY |
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DIODE 3 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEAL |