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BYM36AT/R

更新时间: 2024-11-05 20:04:43
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 二极管
页数 文件大小 规格书
14页 84K
描述
1.25A, 200V, SILICON, RECTIFIER DIODE

BYM36AT/R 技术参数

生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.61应用:FAST SOFT RECOVERY
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1.6 VJESD-30 代码:O-LALF-W2
最大非重复峰值正向电流:65 A元件数量:1
相数:1端子数量:2
最高工作温度:175 °C最大输出电流:1.25 A
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:200 V最大反向电流:5 µA
最大反向恢复时间:0.1 µs子类别:Rectifier Diodes
表面贴装:NO技术:AVALANCHE
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
Base Number Matches:1

BYM36AT/R 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
BYM36 series  
Fast soft-recovery  
controlled avalanche rectifiers  
1996 Sep 18  
Product specification  
Supersedes data of 1996 May 30  

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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