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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BYM36B/40133 | NXP |
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DIODE 3 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode |
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| BYM36B/41112 | NXP |
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DIODE 3 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode |
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| BYM36B/41113 | NXP |
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DIODE 3 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode |
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| BYM36B/41133 | NXP |
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DIODE 3 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode |
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| BYM36B/50112 | NXP |
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DIODE 3 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode |
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| BYM36B/50113 | NXP |
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DIODE 3 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode |
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| BYM36B/50133 | NXP |
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DIODE 3 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode |
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| BYM36BAMO | NXP |
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BYM36BAMO |
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| BYM36BAMO | PHILIPS |
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BYM36BAMO |
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| BYM36BGP | GULFSEMI |
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SINTERED GLASS JUNCTION FAST SWITCHING PLASTI |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
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