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BYM36C

更新时间： 2024-11-24 06:44:55
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描述
SINTERED GLASS JUNCTION FAST AVALANCHE RECTIFIER VOLTAGE：600V CURRENT: 3.0A

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BYM36C 技术参数

生命周期：Contact Manufacturer包装说明：E-LALF-W2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.64
Is Samacsys：N其他特性：LOW LEAKAGE CURRENT
应用：FAST RECOVERY外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1.6 V
JESD-30 代码：E-LALF-W2最大非重复峰值正向电流：65 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：175 °C
最低工作温度：-65 °C最大输出电流：3 A
封装主体材料：GLASS封装形状：ELLIPTICAL
封装形式：LONG FORM最大重复峰值反向电压：600 V
最大反向电流：5 µA最大反向恢复时间：0.1 µs
表面贴装：NO技术：AVALANCHE
端子形式：WIRE端子位置：AXIAL
Base Number Matches：1

BYM36C 数据手册

 浏览型号BYM36C的Datasheet PDF文件第2页 
BYM36C  
SINTERED GLASS JUNCTION  
FAST AVALANCHE RECTIFIER  
VOLTAGE：600V  
CURRENT: 3.0A  
SOD-64  
FEATURE  
Glass passivated  
High maximum operating temperature  
Low leakage current  
Excellent stability  
Guaranteed avalanche energy absorption capability  
MECHANICAL DATA  
Case: SOD-64 sintered glass case  
Terminal: Plated axial leads solderable per  
MIL-STD 202E, method 208C  
Polarity: color band denotes cathode end  
Mounting position: any  
Dimensions in inches and (millimeters)  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
(single-phase, half-wave, 60HZ, resistive or inductive load rating at 25°C, unless otherwise stated)  
SYMBOL  
BYM36C  
units  
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage  
Maximum RMS Voltage  
VRRM  
VRMS  
VDC  
600  
420  
600  
V
V
V
Maximum DC blocking Voltage  
Reverse avalanche breakdown voltage  
V(BR)R  
IFAV  
700min  
3.0  
V
A
at IR = 0.1 mA  
Maximum Average Forward Rectified  
Current 3/8”lead length at Ttp =55°C  
Peak Forward Surge Current at Tp=10ms half  
sinewave  
65  
1.60  
10  
IFSM  
VF  
A
V
Maximum Forward Voltage at rated Forward Current  
Non-repetitive peak reverse avalanche energy  
(Note 1)  
ERSM  
mJ  
5.0  
150.0  
100  
Maximum DC Reverse Current  
at rated DC blocking voltage  
Ta =25°C  
Ta =165°C  
(Note 2)  
IR  
µ
A
Maximum Reverse Recovery Time  
Trr  
Cd  
nS  
pF  
Diode Capacitance  
(Note 3)  
(Note 4)  
85  
75  
Typical Thermal Resistance  
Rth(ja)  
Tstg, Tj  
°C /W  
°C  
Storage and Operating Junction Temperature  
Note:  
-65 to +175  
1. IR=400mA; Tj=Tjmax prior to surge; inductive load switched off  
2. Reverse Recovery Condition If =0.5A, Ir =1.0A, Irr =0.25A  
3. Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 0Vdc  
4. Device mounted on an epoxy-glass printed-circuit board, 1.5mm thick  
Rev.A1  
www.gulfsemi.com  
12

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