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BYG21M

更新时间: 2024-02-20 03:53:50
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页数 文件大小 规格书
2页 3871K
描述
Fast Silicon Mesa SMD Rectifier

BYG21M 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.53
Is Samacsys:NBase Number Matches:1

BYG21M 数据手册

 浏览型号BYG21M的Datasheet PDF文件第1页 
BYG20D THRU BYG20J  
200V-600V  
1.5A  
Fast Silicon Mesa SMD Rectifier  
RATINGS AND CHARACTERISTIC CURVES  
BYG20D THRU BYG20J  
100  
100  
10  
10  
1
75°C  
1
25°C  
V =V  
R
T =125°C  
j
R RM  
0.1  
0.01  
0.1  
0.01  
200  
4
0
40  
80  
120  
160  
0
1
2
3
94 9347  
T – Junction Temperature ( °C )  
j
94 9348  
V – Forward Voltage ( V )  
F
Figure 1. Typ. Reverse Current vs. Junction Temperature  
Figure 3. Typ. Forward Current vs. Forward Voltage  
600  
2.0  
1.6  
T
=125°C  
amb  
500  
400  
300  
200  
100  
0
100°C  
75°C  
50°C  
25°C  
R
=25K/W  
thJA  
1.2  
0.8  
0.4  
0
100K/W  
125K/W  
80  
150K/W  
40  
I =0.5A, i =0.125A  
R
R
200  
1.0  
0
120  
160  
0
0.2  
0.4  
0.6  
0.8  
94 9345  
T
amb  
– Ambient Temperature ( °C )  
94 9349  
I – Forward Current ( A )  
F
Figure 2. Max. Average Forward Current vs.  
Ambient Temperature  
Figure 4. Max. Reverse Recovery Time vs.  
Forward Current  
1000  
125K/W DC  
100  
t /T=0.5  
p
t /T=0.2  
p
t /T=0.1  
p
10  
1
t /T=0.05  
p
t /T=0.02  
p
Single Pulse  
t /T=0.01  
p
–5  
–4  
–3  
–2  
–1  
0
1
2
10  
10  
10  
10  
10  
10  
10  
10  
94 9339  
t – Pulse Length ( s )  
p
Figure 6. Thermal Response  
E-mail: sales@taychipst.com  
Web Site: www.taychipst.com  
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