BYD13M

更新时间： 2024-11-13 06:44:51

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CONTROLLED AVALANCHE RECTIFIER DIODES

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BYD13M 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	O-PALF-W2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.76	其他特性：	HIGH RELIABILITY
应用：	GENERAL PURPOSE	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1.05 V
JEDEC-95代码：	DO-41	JESD-30 代码：	O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流：	20 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	175 °C	最大输出电流：	1.4 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	最大重复峰值反向电压：	1000 V
最大反向电流：	1 µA	表面贴装：	NO
技术：	AVALANCHE	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	Base Number Matches：	1

BYD13M 数据手册

CONTROLLED AVALANCHE

RECTIFIER DIODES

BYD13D - BYD13M

PRV : 200 - 1000 Volts

Io : 1.4 Amperes

DO - 41

1.00 (25.4)

0.107 (2.72)

MIN.

FEATURES :

0.080 (2.03)

* High current capability

* High surge current capability

* High reliability

0.205 (5.20)

0.160 (4.10)

0.034 (0.86)

0.028 (0.71)

* Low reverse current

* Low forward voltage drop

* Pb / RoHS Free

1.00 (25.4)

MIN.

MECHANICAL DATA :

* Case : DO-41 Molded plastic

* Epoxy : UL94V-O rate flame retardant

* Lead : Axial lead solderable per MIL-STD-202,

Method 208 guaranteed

Dimensions in inches and ( millimeters )

* Polarity : Color band denotes cathode end

* Mounting position : Any

* Weight : 0.339 gram

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Rating at 25 C ambient temperature unless otherwise specified.

Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.

For capacitive load, derate current by 20%.

BYD

13D

BYD

13G

BYD

13J

BYD

13K

BYD

13M

RATING

SYMBOL

UNIT

Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage

Maximum RMS voltage

VRRM

VRMS

200

140

200

225

1600

400

280

400

450

1600

600

420

600

650

1600

1.4

800

560

800

900

1600

1000

700

Maximum DC Blocking Voltage

VDC

1000

1100

1600

Minimum Reverse Avalanche Breakdown Voltage

Maximum Reverse Avalanche Breakdown Voltage

Maximum Average Forward Current T_tp= 55°C

Maximum Peak Forward Surge Current Single half sine wave

superimposed on rated load (JEDEC Method)

Maximum Forward Voltage drop per Diode at IF = 1.0 A

V(BR)R-min

V(BR)R-max

IF(AV)

IFSM

1.05

Maximum DC reverse Current

at rated DC Block Voltage

Junction Temperature Range

Storage Temperature Range

TJ = 25 °C

°C

IR(H)

100

175

TJ = 165 °C

TSTG

- 65 to + 175

Page 1 of 2

Rev. 02 : March 25, 2005

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与BYD13M相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BYD13M/A52R	ETC	获取价格	DIODE CONTROLLED AVALANCHE
BYD13MGP	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, Avalanche, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-204AL, PLASTIC, DO-41
BYD13MGP-E3	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, Avalanche, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-204AL, LEAD FREE, PLA
BYD13MGP-E3/54	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, Avalanche, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-204AL, ROHS COMPLIANT
BYD13MGP-E3/73	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, Avalanche, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-204AL, ROHS COMPLIANT
BYD13MGP-HE3	VISHAY	获取价格	DIODE 1 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AL, LEAD FREE, PLASTIC, DO-41, 2 PIN, Sign
BYD13MGPHE3/73	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, Avalanche, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-204AL, ROHS COMPLIANT
BYD13MGP-HE3/73	VISHAY	获取价格	1A, 1000V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AL, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DO-41, 2 PIN
BYD13MT/R	NXP	获取价格	DIODE SILICON, SIGNAL DIODE, HERMETICALLY SEALED, GLASS PACKAGE-2, Signal Diode
BYD13SERIES	ETC	获取价格	Controlled avalanche rectifiers

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