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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | O-LELF-R2 | 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.79 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 0.93 V |
| JESD-30 代码： | O-LELF-R2 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 最大非重复峰值正向电流： | 20 A |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 最低工作温度： | -65 °C |
| 最大输出电流： | 0.6 A | 封装主体材料： | GLASS |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 200 V | 最大反向恢复时间： | 3 µs |
| 子类别： | Rectifier Diodes | 表面贴装： | YES |
| 技术： | AVALANCHE | 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | WRAP AROUND | 端子位置： | END |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BYD17D,115 | NXP |
获取价格 |
DIODE 0.6 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE, HERMETIC SEALED, GLASS, SO-2, Signal Diode |
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| BYD17D,135 | NXP |
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DIODE 0.6 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE, GLASS, SO-2, Signal Diode |
|
| BYD17D/T3 | ETC |
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DIODE CONTROLLED AVALANCHE MINI-MELF |
|
| BYD17DA | EIC |
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GENERAL PURPOSE CONTROLLED AVALANCHE RECTIFIERS |
|
| BYD17DT/R | NXP |
获取价格 |
DIODE 0.6 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE, HERMETIC SEALED, GLASS, SO-2, Signal Diode |
|
| BYD17DTRL | NXP |
获取价格 |
DIODE 0.6 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode |
|
| BYD17DTRL13 | NXP |
获取价格 |
DIODE 0.6 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode |
|
| BYD17G | EIC |
获取价格 |
GENERAL PURPOSE CONTROLLED AVALANCHE RECTIFIERS |
|
| BYD17G | NXP |
获取价格 |
General purpose controlled avalanche rectifiers |
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| BYD17G,115 | NXP |
获取价格 |
DIODE 0.6 A, 400 V, SILICON, SIGNAL DIODE, HERMETIC SEALED, GLASS, SO-2, Signal Diode |
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