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BYC8B-600P,118

更新时间： 2024-11-24 14:48:11

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恩智浦 - NXP		快速恢复能力电源超快速恢复二极管超快速恢复能力电源
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9页	195K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 600V V(RRM), Silicon

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BYC8B-600P,118 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	D2PAK-3/2
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.64
其他特性：	LOW LEAKAGE CURRENT	应用：	HYPER FAST RECOVERY POWER
外壳连接：	CATHODE	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	3.4 V	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
最大非重复峰值正向电流：	100 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
参考标准：	IEC-60134	最大重复峰值反向电压：	600 V
最大反向电流：	20 µA	最大反向恢复时间：	0.018 µs
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	Base Number Matches：	1

BYC8B-600P,118 数据手册

BYC8B-600P

Hyperfast power diode

26 February 2014

Product data sheet

1. General description

Hyperfast power diode in a SOT404 (D2PAK) surface-mountable plastic package.

2. Features and benefits

Fast switching

Surface-mountable package

Low leakage current

Low reverse recovery current

Low thermal resistance

Reduces switching losses in associated MOSFET

•

3. Applications

Continuous Current Mode (CCM) Power Factor Correction (PFC)

Half-bridge/full-bridge switched-mode power supplies

•

4. Quick reference data

Table 1.

Symbol

Quick reference data

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

V_RRM

repetitive peak reverse

voltage

600

I_F(AV)

average forward

current

δ = 0.5; T_mb≤ 130 °C; square-wave

pulse; Fig. 1; Fig. 2; Fig. 3

Static characteristics

V_F

forward voltage

I_F= 8 A; T_j= 125 °C; Fig. 6

1.5

1.9

Dynamic characteristics

t_rr

reverse recovery time I_F= 1 A; V_R= 30 V; dI_F/dt = 200 A/µs;

T_j= 25 °C; Fig. 7

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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