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BYC5X-600P,127

更新时间： 2024-11-11 19:52:51

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恩智浦 - NXP		快速恢复能力电源超快速恢复二极管局域网超快速恢复能力电源
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11页	159K
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 600V V(RRM), Silicon, TO-220AC

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BYC5X-600P,127 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	TO-220F, 2 PIN
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.65
其他特性：	LOW LEAKAGE CURRENT	应用：	HYPER FAST RECOVERY POWER
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	3.3 V	JEDEC-95代码：	TO-220AC
JESD-30 代码：	R-PSFM-T2	最大非重复峰值正向电流：	65 A
元件数量：	1	相数：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	参考标准：	IEC-60134
最大重复峰值反向电压：	600 V	最大反向电流：	10 µA
最大反向恢复时间：	0.025 µs	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
Base Number Matches：	1

BYC5X-600P,127 数据手册

BYC5X-600P

Hyperfast power diode

24 December 2014

Product data sheet

1. General description

Hyperfast power diode in a SOD113A package.

2. Features and benefits

Low leakage current

Low reverse recovery current

Low thermal resistance

Reduces switching losses in associated MOSFET or IGBT

•

3. Applications

Half-bridge/full-bridge switched-mode power supplies

Continuous Current Mode (CCM) Power Factor Correction (PFC)

•

4. Quick reference data

Table 1.

Symbol

Quick reference data

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

V_RRM

repetitive peak reverse

voltage

600

I_F(AV)

average forward

current

δ = 0.5; T_h≤ 97 °C; square-wave pulse;

Fig. 1; Fig. 2; Fig. 3

Static characteristics

V_F

forward voltage

I_F= 5 A; T_j= 150 °C; Fig. 6

1.35

2.1

Dynamic characteristics

t_rr

reverse recovery time I_F= 1 A; V_R= 30 V; dI_F/dt = 200 A/µs;

T_j= 25 °C; Fig. 7

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