5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | E-LALF-W2 |
| 针数： | 2 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.70 |
| 风险等级： | 5.84 | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | JESD-30 代码： | E-LALF-W2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最大输出电流： | 0.003 A | 封装主体材料： | GLASS |
| 封装形状： | ELLIPTICAL | 封装形式： | LONG FORM |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 24000 V |
| 最大反向恢复时间： | 0.2 µs | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | AXIAL |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BY8424 | NXP |
获取价格 |
Fast high-voltage soft-recovery rectifiers |
|
| BY8424T/R | NXP |
获取价格 |
DIODE 0.003 A, 30000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, HERMETICALLY SEALED, GLASS PACKAGE-2, Signa |
|
| BY84C | TE |
获取价格 |
Double-Balanced Mixer |
|
| BY8-50 | AMPHENOL |
获取价格 |
Wire Terminal, 50mm2 |
|
| BY8504 | NXP |
获取价格 |
DIODE 0.02 A, 5000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode |
|
| BY8506 | NXP |
获取价格 |
DIODE 0.01 A, 8000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode |
|
| BY8508 | NXP |
获取价格 |
DIODE 0.005 A, 10000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode |
|
| BY8510 | NXP |
获取价格 |
DIODE 0.005 A, 12000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode |
|
| BY8512 | NXP |
获取价格 |
DIODE 0.005 A, 14000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode |
|
| BY8514 | NXP |
获取价格 |
DIODE 0.005 A, 17000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
