BY880-800

更新时间： 2024-09-17 09:03:23

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德欧泰克 - DIOTEC		整流二极管
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Silicon Rectifier Diodes – Silizium-Gleichrichterdioden

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BY880-800 数据手册

BY880-50 ... BY880-1000

Version 2010-08-09

BY880-50 ... BY880-1000

Silicon Rectifier Diodes – Silizium-Gleichrichterdioden

Nominal current

Nennstrom

8 A

50...1000 V

Ø 5.4^±0.1

Repetitive peak reverse voltage

Periodische Spitzensperrspannung

Plastic case

Kunststoffgehäuse

Ø 5.4 x 7.5 [mm]

1.0 g

Weight approx.

Gewicht ca.

Plastic material has UL classification 94V-0

Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert

Ø 1.2^±0.05

Standard packaging taped in ammo pack

Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack

Dimensions - Maße [mm]

Maximum ratings

Grenzwerte

Type

Typ

Repetitive peak reverse voltage

Periodische Spitzensperrspannung

V_RRM[V]

Surge peak reverse voltage

Stoßspitzensperrspannung

V_RSM[V]

BY880-50

100

200

400

600

800

1000

100

200

400

600

800

1000

BY880-100

BY880-200

BY880-400

BY880-600

BY880-800

BY880-1000

Max. average forward rectified current, R-load

Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last

T_A= 50°C

f > 15 Hz

T_A= 25°C

I_FAV

I_FRM

I_FSM

i²t

8 A ¹)

Repetitive peak forward current

Periodischer Spitzenstrom

80 A ¹)

400/450 A

800 A²s

Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave

Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle

Rating for fusing,t < 10 ms

Grenzlastintegral, t < 10 ms

Junction temperature – Sperrschichttemperatur

T_j

-50...+175°C

+200°C

in DC forward mode – bei Gleichstrom-Durchlassbetrieb

T_S

-50...+175°C

Storage temperature – Lagerungstemperatur

Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case

Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden

http://www.diotec.com/

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