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BY88050

更新时间: 2024-11-22 01:17:27
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德欧泰克 - DIOTEC /
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2页 105K
描述
Silicon Rectifier Diodes – Silizium-Gleichrichterdioden

BY88050 数据手册

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BY880-50 ... BY880-1400  
Version 2014-10-14  
BY880-50 ... BY880-1400  
Silicon Rectifier Diodes – Silizium-Gleichrichterdioden  
Nominal current  
Nennstrom  
8 A  
50...1400 V  
Ø 5.4±0.1  
Repetitive peak reverse voltage  
Periodische Spitzensperrspannung  
Plastic case  
Kunststoffgehäuse  
Ø 5.4 x 7.5 [mm]  
1.0 g  
Weight approx.  
Gewicht ca.  
Plastic material has UL classification 94V-0  
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert  
Ø 1.2±0.05  
Standard packaging taped in ammo pack  
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack  
Dimensions - Maße [mm]  
Maximum ratings  
Grenzwerte  
Type  
Typ  
Repetitive peak reverse voltage  
Periodische Spitzensperrspannung  
VRRM [V]  
Surge peak reverse voltage  
Stoßspitzensperrspannung  
VRSM [V]  
BY880-50  
50  
100  
50  
100  
BY880-100  
BY880-200  
BY880-400  
BY880-600  
BY880-800  
BY880-1000  
BY880-1200  
BY880-1400  
200  
200  
400  
400  
600  
600  
800  
800  
1000  
1200  
1400  
1000  
1200  
1400  
Max. average forward rectified current, R-load  
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last  
TA = 50°C  
f > 15 Hz  
TA = 25°C  
TA = 25°C  
IFAV  
IFRM  
IFSM  
i2t  
8 A 1)  
Repetitive peak forward current  
Periodischer Spitzenstrom  
80 A 1)  
400/450 A  
800 A2s  
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave  
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle  
Rating for fusing,t < 10 ms  
Grenzlastintegral, t < 10 ms  
Junction temperature – Sperrschichttemperatur  
Tj  
Tj  
-50...+175°C  
+200°C  
in DC forward mode – bei Gleichstrom-Durchlassbetrieb  
TS  
-50...+175°C  
Storage temperature – Lagerungstemperatur  
1
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case  
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden  
© Diotec Semiconductor AG  
http://www.diotec.com/  
1
 

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