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BY880-600

更新时间： 2024-09-17 09:03:23
品牌 Logo 应用领域
德欧泰克 - DIOTEC 整流二极管
页数 文件大小 规格书
2页 104K
描述
Silicon Rectifier Diodes – Silizium-Gleichrichterdioden

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BY880-600 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：O-PALF-W2针数：2
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.43
应用：GENERAL PURPOSE外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJESD-30 代码：O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流：450 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：175 °C最低工作温度：-50 °C
最大输出电流：8 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：600 V表面贴装：NO
端子形式：WIRE端子位置：AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

BY880-600 数据手册

 浏览型号BY880-600的Datasheet PDF文件第2页 
BY880-50 ... BY880-1000  
Version 2010-08-09  
BY880-50 ... BY880-1000  
Silicon Rectifier Diodes – Silizium-Gleichrichterdioden  
Nominal current  
Nennstrom  
8 A  
50...1000 V  
Ø 5.4±0.1  
Repetitive peak reverse voltage  
Periodische Spitzensperrspannung  
Plastic case  
Kunststoffgehäuse  
Ø 5.4 x 7.5 [mm]  
1.0 g  
Weight approx.  
Gewicht ca.  
Plastic material has UL classification 94V-0  
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert  
Ø 1.2±0.05  
Standard packaging taped in ammo pack  
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack  
Dimensions - Maße [mm]  
Maximum ratings  
Grenzwerte  
Type  
Typ  
Repetitive peak reverse voltage  
Periodische Spitzensperrspannung  
VRRM [V]  
Surge peak reverse voltage  
Stoßspitzensperrspannung  
VRSM [V]  
BY880-50  
50  
100  
200  
400  
600  
800  
1000  
50  
100  
200  
400  
600  
800  
1000  
BY880-100  
BY880-200  
BY880-400  
BY880-600  
BY880-800  
BY880-1000  
Max. average forward rectified current, R-load  
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last  
TA = 50°C  
f > 15 Hz  
TA = 25°C  
TA = 25°C  
IFAV  
IFRM  
IFSM  
i2t  
8 A 1)  
Repetitive peak forward current  
Periodischer Spitzenstrom  
80 A 1)  
400/450 A  
800 A2s  
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave  
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle  
Rating for fusing,t < 10 ms  
Grenzlastintegral, t < 10 ms  
Junction temperature – Sperrschichttemperatur  
Tj  
Tj  
-50...+175°C  
+200°C  
in DC forward mode – bei Gleichstrom-Durchlassbetrieb  
TS  
-50...+175°C  
Storage temperature – Lagerungstemperatur  
1
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case  
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden  
© Diotec Semiconductor AG  
http://www.diotec.com/  
1
 
12

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