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BY550-400

更新时间： 2024-09-19 22:10:19
品牌 Logo 应用领域
EIC 整流二极管
页数 文件大小 规格书
2页 20K
描述
SILICON RECTIFIER DIODES

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BY550-400 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：ActiveReach Compliance Code：compliant
风险等级：5.66配置：SINGLE
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1.1 V
最大非重复峰值正向电流：300 A元件数量：1
最高工作温度：175 °C最大输出电流：5 A
最大重复峰值反向电压：400 V子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：NOBase Number Matches：1

BY550-400 数据手册

 浏览型号BY550-400的Datasheet PDF文件第2页 
SILICON RECTIFIER DIODES  
BY550-50 ~ BY550-1000  
PRV : 50 - 1000 Volts  
Io : 5.0 Amperes  
DO - 201AD  
FEATURES :  
* High current capability  
* High surge current capability  
* High reliability  
1.00 (25.4)  
0.21 (5.33)  
MIN.  
0.19 (4.83)  
* Low reverse current  
* Low forward voltage drop  
0.375 (9.53)  
0.285 (7.24)  
MECHANICAL DATA :  
1.00 (25.4)  
* Case : DO-201AD Molded plastic  
* Epoxy : UL94V-O rate flame retardant  
* Lead : Axial lead solderable per MIL-STD-202,  
Method 208 guaranteed  
0.052 (1.32)  
MIN.  
0.048 (1.22)  
* Polarity : Color band denotes cathode end  
* Mounting position : Any  
* Weight : 1.21 grams  
Dimensions in inches and ( millimeters )  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Rating at 25 °C ambient temperature unless otherwise specified.  
Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%.  
BY550 BY550 BY550 BY550 BY550 BY550 BY550  
RATING  
SYMBOL  
UNIT  
1000 Volts  
700 Volts  
- 50  
- 100 - 200 - 400 - 600 - 800 - 1000  
Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage  
Maximum RMS Voltage  
VRRM  
VRMS  
VDC  
50  
100  
70  
200  
140  
200  
400  
280  
400  
600  
420  
600  
800  
560  
800  
35  
50  
Maximum DC Blocking Voltage  
100  
1000 Volts  
Maximum Average Forward Current  
0.375"(9.5mm) Lead Length Ta = 60°C  
Peak Forward Surge Current  
IF  
5.0  
Amps.  
8.3ms Single half sine wave Superimposed  
on rated load (JEDEC Method)  
IFSM  
VF  
300  
0.95  
20  
Amps.  
Volts  
mA  
Maximum Forward Voltage at IF = 5.0 Amps.  
Maximum DC Reverse Current  
at rated DC Blocking Voltage  
Ta = 25 °C  
Ta = 100 °C  
IR  
IR(H)  
CJ  
50  
mA  
Typical Junction Capacitance (Note1)  
Typical Thermal Resistance (Note2)  
Junction Temperature Range  
50  
pF  
RqJA  
TJ  
18  
°C/W  
°C  
- 65 to + 175  
- 65 to + 175  
Storage Temperature Range  
TSTG  
°C  
Notes :  
(1) Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0VDC  
(2) Thermal resistance from Junction to Ambient at 0.375" (9.5mm) Lead Lengths, P.C. Board Mounted.  
UPDATE : MAY 27, 1998  
12

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