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BY251P-E3

更新时间： 2024-09-13 12:53:19
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 整流二极管
页数 文件大小 规格书
4页 68K
描述
General Purpose Plastic Rectifier

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BY251P-E3 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：DO-201AD
包装说明：O-PALF-W2针数：2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.43
Is Samacsys：N其他特性：FREE WHEELING DIODE, LOW LEAKAGE CURRENT
应用：GENERAL PURPOSE外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1.1 V
JEDEC-95代码：DO-201ADJESD-30 代码：O-PALF-W2
JESD-609代码：e3最大非重复峰值正向电流：150 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：3 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：LONG FORM峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：200 V
最大反向恢复时间：3 µs子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：WIRE端子位置：AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLEBase Number Matches：1

BY251P-E3 数据手册

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BY251P thru BY255P  
Vishay General Semiconductor  
General Purpose Plastic Rectifier  
FEATURES  
• Low forward voltage drop  
• Low leakage current, IR less than 0.1 μA  
• High forward surge capability  
• Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106  
• Compliant to RoHS directive 2002/95/EC and in  
accordance to WEEE 2002/96/EC  
DO-201AD  
TYPICAL APPLICATIONS  
For use in general purpose rectification of power supplies,  
inverters, converters and freewheeling diodes application.  
Note  
•
These devices are not AEC-Q101 qualified.  
PRIMARY CHARACTERISTICS  
IF(AV)  
3.0 A  
MECHANICAL DATA  
Case: DO-201AD, molded epoxy body  
Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating  
Base P/N-E3 - RoHS compliant, commercial grade  
VRRM  
IFSM  
IR  
200 V to 1300 V  
150 A  
5.0 μA  
Terminals: Matte tin plated leads, solderable per  
J-STD-002 and JESD 22-B102  
E3 suffix meets JESD 201 class 1A whisker test  
VF  
1.1 V  
TJ max.  
150 °C  
Polarity: Color band denotes cathode end  
MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C unless otherwise noted)  
PARAMETER  
SYMBOL BY251P  
BY252P  
400  
BY253P  
600  
BY254P  
800  
BY255P  
1300  
UNIT  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
Maximum RMS voltage  
VRRM  
VRMS  
VDC  
200  
140  
200  
V
V
V
280  
420  
560  
910  
Maximum DC blocking voltage  
400  
600  
800  
1300  
Maximum average forward rectified current  
10 mm lead length  
IF(AV)  
IFSM  
3.0  
A
A
Peak forward surge current 10 ms single half  
sine-wave superimposed on rated load  
150  
Maximum full load reverse current, full cycle average  
10 mm lead length  
IR(AV)  
100  
μA  
°C  
Operating junction and storage temperature range  
TJ, TSTG  
- 55 to + 150  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25 °C unless otherwise noted)  
PARAMETER  
TEST CONDITIONS SYMBOL BY251P  
BY252P  
BY253P  
BY254P  
BY255P  
UNIT  
Maximum instantaneous  
forward voltage  
3.0 A  
VF  
IR  
1.1  
V
Maximum reverse current  
at rated DC blocking voltage  
TA = 25 °C  
5.0  
μA  
Maximum reverse  
recovery time  
IF = 0.5 A, IR = 1.0 V,  
rr = 0.25 A  
trr  
3.0  
40  
μs  
I
Typical junction capacitance 4.0 V, 1 MHz  
CJ  
pF  
Document Number: 88838  
Revision: 04-Nov-09  
For technical questions within your region, please contact one of the following:  
DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
www.vishay.com  
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与BY251P-E3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BY251P-E3/100 VISHAY

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BY251P-E3/4F VISHAY

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 		DIODE 3 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2, Rectifier Diode
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 		DIODE 3 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2, R
BY251P-E3/56 VISHAY

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