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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.63 | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 50 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 12 A | 最大漏源导通电阻： | 0.1 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 40 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BUZ71CHIP | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 14A I(D) | CHIP |
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| BUZ71CHP | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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| BUZ71D1 | MOTOROLA |
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Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 50V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| BUZ71-E3046 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 50V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| BUZ71F1 | NJSEMI |
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Trans MOSFET N-CH 50V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220 |
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| BUZ71FI | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-220VAR |
|
| BUZ71L | INFINEON |
获取价格 |
SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated Logic Level) |
|
| BUZ71L | MOTOROLA |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| BUZ71L | NJSEMI |
获取价格 |
Trans MOSFET N-CH 50V 14A |
|
| BUZ71L-E3044 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 50V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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