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BUX85AJ

更新时间： 2024-02-26 14:53:42
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 局域网开关晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 95K
描述
2A, 450V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN

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BUX85AJ 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.75
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：2 A
集电极-发射极最大电压：450 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：30JEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：NPN功耗环境最大值：50 W
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：4 MHz最大关闭时间（toff）：4900 ns
Base Number Matches：1

BUX85AJ 数据手册

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BUX85G  
SWITCHMODE NPN Silicon  
Power Transistors  
The BUX85G is designed for high voltage, high speed power  
switching applications like converters, inverters, switching regulators,  
motor control systems.  
http://onsemi.com  
Features  
• These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant*  
2.0 AMPERES  
POWER TRANSISTOR  
NPN SILICON  
MAXIMUM RATINGS  
450 VOLTS, 50 WATTS  
Rating  
Symbol  
Value  
Unit  
Collector−Emitter Voltage  
V
450  
Vdc  
CEO(sus)  
COLLECTOR  
2,4  
Collector−Emitter Voltage  
V
CES  
V
EBO  
1000  
5
Vdc  
Vdc  
Adc  
Adc  
Adc  
Adc  
Adc  
Emitter−Base Voltage  
1
Collector Current − Continuous  
Collector Current − Peak (Note 1)  
I
C
2
BASE  
I
3.0  
0.75  
1.0  
1
CM  
3
Base Current  
Base Current  
− Continuous  
I
B
EMITTER  
− Peak (Note 1)  
I
I
BM  
BM  
Reverse Base Current − Peak  
4
Total Device Dissipation @ T = 25_C  
P
D
50  
400  
W
W/_C  
C
Derate above 25°C  
TO−220AB  
CASE 221A−09  
STYLE 1  
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
−65 to +150  
_C  
J
stg  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristics  
Symbol  
Max  
2.5  
Unit  
_C/W  
_C/W  
_C  
1
2
3
Thermal Resistance, Junction−to−Case  
Thermal Resistance, Junction−to−Ambient  
R
q
JC  
JA  
L
R
62.5  
275  
q
MARKING DIAGRAM  
Maximum Lead Temperature for Soldering  
Purposes 1/8″ from Case for 5 Seconds  
T
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
1. Pulse Test: Pulse Width = 5 ms, Duty Cycle x 10%.  
BUX85G  
AY WW  
BUX85 = Device Code  
A
Y
= Assembly Location  
= Year  
WW  
G
= Work Week  
= Pb−Free Package  
ORDERING INFORMATION  
Device  
Package  
Shipping  
50 Units / Rail  
*For additional information on our Pb−Free strategy and soldering details, please  
download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques  
Reference Manual, SOLDERRM/D.  
BUX85G  
TO−220  
(Pb−Free)  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2013  
1
Publication Order Number:  
August, 2013 − Rev. 15  
BUX85/D  
 
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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