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BUX85

更新时间： 2024-02-07 20:25:56

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伯恩斯 - BOURNS		晶体晶体管开关局域网
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6页	125K
描述
NPN SILICON POWER TRANSISTOR

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BUX85 技术参数

生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.75	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	2 A	集电极-发射极最大电压：	450 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	30
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
功耗环境最大值：	50 W	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	4 MHz
最大关闭时间（toff）：	4900 ns	Base Number Matches：	1

BUX85 数据手册

BUX85

NPN SILICON POWER TRANSISTOR

●

40 W at 25°C Case Temperature

2 A Continuous Collector Current

3 A Peak Collector Current

TO-220 PACKAGE

(TOP VIEW)

Typical t = 200 ns at 25°C

Pin 2 is in electrical contact with the mounting base.

MDTRACA

absolute maximum ratings at 25°C case temperature (unless otherwise noted)

RATING

SYMBOL

VALUE

UNIT

Collector-base voltage (I_E= 0)

Collector-emitter voltage (V_BE= 0)

Collector-emitter voltage (I_B= 0)

Continuous collector current

V_CBO

V_CES

V_CEO

I_C

1000

450

Peak collector current (see Note 1)

I_CM

Continuous device dissipation at (or below) 25°C case temperature

Operating junction temperature range

P_tot

T_j

°C

-65 to +150

Storage temperature range

T_stg

NOTE 1: This value applies for t_p≤ 2 ms, duty cycle ≤ 2%.

AUGUST 1978 - REVISED SEPTEMBER 2002

Specifications are subject to change without notice.

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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