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BUX84DW

更新时间： 2024-01-04 05:34:22

品牌	Logo	应用领域
安森美 - ONSEMI		局域网开关晶体管
页数	文件大小	规格书
60页	351K
描述
2A, 400V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN

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BUX84DW 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-220AB	包装说明：	PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.81
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	2 A
集电极-发射极最大电压：	400 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	30	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	4 MHz
Base Number Matches：	1

BUX84DW 数据手册

SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA

2 AMPERES

POWER TRANSISTOR

NPN SILICON

450 VOLTS

The BUX85 is designed for high voltage, high speed power switching applications

like converters, inverters, switching regulators, motor control systems.

50 WATTS

SPECIFICATIONS FEATURES:

•

450 V

1000 V

CEO(sus)

CES(sus)

Fall time = 0.3 µs (typ) at I = 1.0 A

= 1.0 V (max) at I = 1.0 A, I = 0.2 A

CE(sat)

C B

CASE 221A–06

TO–220AB

MAXIMUM RATINGS

Rating

Symbol

BUX84

400

BUX85

450

Unit

Vdc

Adc

Collector–Emitter Voltage

Emitter Base Voltage

CEO(sus)

800

1000

CES

EBO

Collector Current

— Continuous

— Peak (1)

3.0

Base Current

— Continuous

— Peak (1)

Adc

0.75

1.0

Reverse Base Current — Peak

Adc

Total Power Dissipation @ T = 25 C

Derate above 25 C

400

Watts

mW/ C

Operating and Storage Junction Temperature Range

T , T

–65 to +150

stg

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristic

Symbol

Max

2.5

Unit

C/W

Thermal Resistance, Junction to Case

Thermal Resistance, Junction to Ambient

θJC

62.5

275

θJA

Maximum Lead Temperature for Soldering Purpose:

1/8″ from Case for 5 Seconds

(1) Pulse Test: Pulse Width = 5 ms, Duty Cycle 10%.

REV 7

3–408

Motorola Bipolar Power Transistor Device Data

12 3 4 5 6 7...60

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