BUW11AF

更新时间： 2024-09-24 22:16:59

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恩智浦 - NXP		晶体晶体管功率双极晶体管
页数	文件大小	规格书
12页	92K
描述
Silicon diffused power transistors

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BUW11AF 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SFM
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.77
Is Samacsys：	N	其他特性：	FORMED LEAD OPTIONS ARE AVAILABLE
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	5 A
集电极-发射极最大电压：	450 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	10	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	NPN	功耗环境最大值：	32 W
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
最大关闭时间（toff）：	4800 ns	最大开启时间（吨）：	1000 ns
VCEsat-Max：	1.5 V	Base Number Matches：	1

DISCRETE SEMICONDUCTORS

DATA SHEET

BUW11F; BUW11AF

Silicon diffused power transistors

1997 Aug 14

Product speciﬁcation

Supersedes data of February 1996

File under Discrete Semiconductors, SC06

12 3 4 5 6 7...12

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BUW11AW	NXP	获取价格	Silicon diffused power transistors
BUW11AW/B	ETC	获取价格	TRANSISTOR
BUW11F	NXP	获取价格	Silicon diffused power transistors
BUW11F	SAVANTIC	获取价格	Silicon NPN Power Transistors
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BUW11W	NXP	获取价格	Silicon diffused power transistors
BUW12	SAVANTIC	获取价格	Silicon NPN Power Transistors
BUW12	ISC	获取价格	Silicon NPN Power Transistors
BUW12	MOSPEC	获取价格	POWER TRANSISTORS(8A,400-450V,125W)
BUW12	ANALOGICTECH	获取价格	POWER TRANSISTORS