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BUK7K32-100E

更新时间： 2024-01-29 19:37:19

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安世 - NEXPERIA		开关脉冲光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
13页	712K
描述
Dual N-channel 100 V, 27.5 mΩ standard level MOSFETProduction

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BUK7K32-100E 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.74
雪崩能效等级（Eas）：	67 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	100 V
最大漏极电流 (ID)：	29 A	最大漏源导通电阻：	0.0275 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G6
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	2	端子数量：	6
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	116 A	参考标准：	AEC-Q101; IEC-60134
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

BUK7K32-100E 数据手册

BUK7K32-100E

Dual N-channel 100 V, 27.5 mΩ standard level MOSFET

2 September 2015

Product data sheet

1. General description

Dual Standard level N-channel MOSFET in an LFPAK56D (Dual Power-SO8) package

using TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to AEC

Q101 standard for use in high performance automotive applications.

2. Features and benefits

Dual MOSFET

Q101 Compliant

•

Repetitive avalanche rated

Suitable for thermally demanding environments due to 175 °C rating

True standard level gate with V_GS(th)rating of greater than 1 V at 175 °C

3. Applications

12 V, 24 V and 48 V Automotive systems

Motors, lamps and solenoid control

Transmission control

•

Ultra high performance power switching

4. Quick reference data

Table 1.

Symbol

Quick reference data

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

100

Unit

V_DS

I_D

drain-source voltage

drain current

T_j≥ 25 °C; T_j≤ 175 °C

V_GS= 10 V; T_mb= 25 °C; Fig. 2

P_tot

total power dissipation T_mb= 25 °C; Fig. 1

Static characteristics FET1 and FET2

R_DSon

drain-source on-state

resistance

V_GS= 10 V; I_D= 5 A; T_j= 25 °C; Fig. 11

21.5

12.9

27.5

mΩ

Dynamic characteristics FET1 and FET2

Q_GDgate-drain charge

I_D= 5 A; V_DS= 80 V; V_GS= 10 V;

T_j= 25 °C; Fig. 13; Fig. 14

12 3 4 5 6 7...13

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