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BUK7L3R3-34BRC

更新时间： 2024-11-27 06:44:39

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恩智浦 - NXP		/
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14页	105K
描述
N-channel TrenchPLUS standard level FET

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BUK7L3R3-34BRC 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-220AB	包装说明：	PLASTIC PACKAGE-3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.84
雪崩能效等级（Eas）：	1900 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR	最小漏源击穿电压：	34 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	218 A	最大漏极电流 (ID)：	218 A
最大漏源导通电阻：	0.0033 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	298 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	872 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

BUK7L3R3-34BRC 数据手册

BUK7L3R3-34BRC

N-channel TrenchPLUS standard level FET

Rev. 02 — 26 September 2007

Product data sheet

1. Product proﬁle

1.1 General description

N-channel enhancement mode power Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package

using NXP High-Performance Automotive (HPA) TrenchMOS technology, featuring very

low on-state resistance, internal gate resistor, ElectroStatic Discharge (ESD) protection

diodes and clamping diodes that are guaranteed to prevent MOSFET avalanching.

1.2 Features

I Internal gate resistor

I Q101 compliant

I 175 °C rated

I ESD and overvoltage protection

1.3 Applications

I Automotive systems

I General purpose power switching

I 12 V loads

I Motors, lamps and solenoids

1.4 Quick reference data

I E_DS(AL)S≤ 1.9 J

I I_D≤ 75 A

I R_DSon= 2.9 mΩ (typ)

I P_tot≤ 298 W

2. Pinning information

Table 1.

Pinning

Description

Simpliﬁed outline

Symbol

gate (G)

drain (D)

source (S)

mounting base; connected to drain (D)

sym094

2 3

SOT78C (TO-220)

12 3 4 5 6 7...14

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BUK7M10-40E	NEXPERIA	获取价格	N-channel 40 V, 10 mΩ standard level MOSFET i
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