BUF642

更新时间： 2024-11-07 06:44:39

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威世 - VISHAY		晶体开关晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	64K
描述
Silicon NPN High Voltage Switching Transistor

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BUF642 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.06
最大集电极电流 (IC)：	6 A	配置：	Single
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	70 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	Base Number Matches：	1

BUF642 数据手册

BUF642

Vishay Telefunken

Silicon NPN High Voltage Switching Transistor

Features

Simple-sWitch-Off Transistor (SWOT)

HIGH SPEED technology

Planar passivation

100 kHz switching rate

Very low switching losses

Very low dynamic saturation

Very low operating temperature

Optimized RBSOA

14283

High reverse voltage

Applications

Electronic lamp ballast circuits

Switch-mode power supplies

Absolute Maximum Ratings

case

= 25°C, unless otherwise specified

Parameter

Collector-emitter voltage

Test Conditions

Symbol

Value

400

Unit

CEO

CEW

550

900

CES

Emitter-base voltage

Collector current

EBO

Collector peak current

Base current

Base peak current

150

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature range

case

≤ 25 C

tot

–65 to +150

stg

Maximum Thermal Resistance

case

= 25°C, unless otherwise specified

Parameter

Junction case

Junction ambient

Test Conditions

Symbol

Value

1.78

Unit

K/W

thJC

thJA

Document Number 86511

Rev. 2, 20–Jan–99

www.vishay.de • FaxBack +1-408-970-5600

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BUF646A	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 450V V(BR)CEO \| 7A I(C) \| TO-220AB
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