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BUD42D-1

更新时间： 2024-01-29 23:02:21
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
14页 197K
描述
High Speed, High Gain Bipolar NPN Transistor with Antisaturation Network and Transient Voltage Suppression Capability

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BUD42D-1 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：PLASTIC, CASE 369D-01, DPAK-3针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.39其他特性：BUILT-IN ANTISATURATION NETWORK
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：4 A
集电极-发射极最大电压：350 V配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小直流电流增益 (hFE)：10JESD-30 代码：R-PSIP-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：25 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

BUD42D-1 数据手册

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BUD42D  
High Speed, High Gain  
Bipolar NPN Transistor with  
Antisaturation Network and  
Transient Voltage  
http://onsemi.com  
Suppression Capability  
4 AMPERES  
650 VOLTS  
25 WATTS  
The BUD42D is a state−of−the−art bipolar transistor. Tight dynamic  
characteristics and lot to lot minimum spread make it ideally suitable  
for light ballast applications.  
Main Features:  
POWER TRANSISTOR  
• Free Wheeling Diode Built In  
• Flat DC Current Gain  
• Fast Switching Times and Tight Distribution  
• “6 Sigma” Process Providing Tight and Reproducible Parameter  
Spreads  
• Epoxy Meets UL94, VO @ 1/8”  
• ESD Ratings: Machine Model, C; >400 V  
Human Body Model, 3B; >8000 V  
Two Versions:  
MARKING DIAGRAMS  
4
Collector  
4
• BUD42D−1: Case 369D for Insertion Mode  
• BUD42D, BUD42DT4: Case 369C for Surface Mount Mode  
2
1
MAXIMUM RATINGS  
3
Rating  
Symbol  
Value  
350  
650  
650  
9
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
DPAK  
CASE 369C  
Style 1  
2
Collector−Emitter Sustaining Voltage  
Collector−Base Breakdown Voltage  
Collector−Emitter Breakdown Voltage  
Emitter−Base Voltage  
V
CEO  
CBO  
1
3
Collector  
Base  
V
Emmitter  
4
V
CES  
V
EBO  
Collector  
4
Collector Current − Continuous  
− Peak (Note 1)  
I
C
4.0  
8.0  
I
CM  
1
2
3
Base Current − Continuous  
− Peak (Note 1)  
I
1.0  
2.0  
Adc  
B
I
BM  
DPAK  
CASE 369D  
Style 1  
*Total Device Dissipation @ T = 25_C  
P
25  
0.2  
Watt  
W/_C  
_C  
C
D
*Derate above 25_C  
1
2
3
Base Collector Emmitter  
Operating and Storage Temperature  
T , T  
J
−65 to  
+150  
stg  
Y
= Year  
WW  
= Work Week  
TYPICAL GAIN  
BUD43D = Device Code  
Typical Gain @ I = 1 A, V = 2 V  
h
h
13  
16  
−
−
C
CE  
FE  
FE  
Typical Gain @ I = 0.3 A, V = 1 V  
C
CE  
ORDERING INFORMATION  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Device  
BUD42D  
Package  
Shipping  
Symbol  
Value  
5.0  
Unit  
°C/W  
°C/W  
°C  
DPAK  
75 Units/Rail  
Thermal Resistance − Junction−to−Case  
Thermal Resistance − Junction−to−Ambient  
R
θ
JC  
JA  
L
DPAK  
Straight Lead  
BUD42D−1  
BUD42DT4  
75 Units/Rail  
R
71.4  
260  
θ
Maximum Lead Temperature for Soldering  
Purposes: 1/8″ from Case for 5 seconds  
T
DPAK  
2500 Tape & Reel  
1. Pulse Test: Pulse Width = 5.0 ms, Duty Cycle = 10%  
1
Semiconductor Components Industries, LLC, 2003  
Publication Order Number:  
August, 2003 − Rev. 2  
BUD42D/D  
1234567...14

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与BUD42D-1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BUD42D-1G ROCHESTER

获取价格

 		4A, 350V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE 369D-01, DPAK-3
BUD42D-1G ONSEMI

获取价格

 		High Speed, High Gain NPN Bipolar Power Transistor
BUD42DG ROCHESTER

获取价格

 		暂无描述
BUD42DG ONSEMI

获取价格

 		High Speed, High Gain NPN Bipolar Power Transistor
BUD42DT4 ROCHESTER

获取价格

 		4A, 350V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, CASE 369C-01, DPAK-3
BUD42DT4 ONSEMI

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 		High Speed, High Gain Bipolar NPN Transistor with Antisaturation Network and Transient Vol
BUD42DT4G ONSEMI

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 		High Speed, High Gain Bipolar NPN Transistor
BUD43B MOTOROLA

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 		POWER TRANSISTORS 2 AMPERES 700 VOLTS 25 WATTS
BUD43B ONSEMI

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 		POWER TRANSISTORS 2 AMPERES 700 VOLTS 25 WATTS
BUD43B/D ETC

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 		SWITCHMODE? NPN Silicon Planar Power Transistor

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