是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
Reach Compliance Code: | compliant | Factory Lead Time: | 14 weeks |
风险等级: | 1.75 | 主体宽度: | 0.8 mm |
主体高度: | 0.4 mm | 主体长度或直径: | 0.8 mm |
滞后: | 0.4 mT | 最大磁场范围: | 3.2 mT |
最小磁场范围: | 1.2 mT | 安装特点: | SURFACE MOUNT |
最大工作电流: | 0.008 mA | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 输出范围: | 0.2-1.6V |
输出类型: | VOLTAGE OUTPUT | 封装形状/形式: | SQUARE |
传感器/换能器类型: | MAGNETIC FIELD SENSOR,HALL EFFECT | 最大供电电压: | 3.6 V |
最小供电电压: | 1.65 V | 表面贴装: | YES |
端接类型: | SOLDER | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BU52095GWZ | ROHM |
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两极检测霍尔IC用于检测S极或N极的磁场。通过组合本霍尔IC和磁铁,可以实现平板电脑和智能 | |
BU52097GWZ | ROHM |
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两极检测霍尔IC用于检测S极或N极的磁场。通过组合本霍尔IC和磁铁,可以实现平板电脑和智能 | |
BU52098GWZ | ROHM |
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两极检测霍尔IC用于检测S极或N极的磁场。通过组合本霍尔IC和磁铁,可以实现平板电脑和智能 | |
BU52098GWZ-E2 | ROHM |
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Hall Effect Sensor, | |
BU520XX_BD7411G_REVF | ROHM |
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Omnipolar detection, Micro power operation (small current using intermittent operation met | |
BU52177GXZ-E2 | ROHM |
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Hall Effect Sensor, 10.1mT Min, 19mT Max, 0.2-1.6V, Square, Surface Mount, XCSP-4 | |
BU522 | ISC |
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Silicon Darlington NPN Power Transistor | |
BU52216 | MOTOROLA |
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7A, 375V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB | |
BU52216A | MOTOROLA |
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Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 375V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast | |
BU52271NUZ-ZE2 | ROHM |
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Hall Effect Sensor, |