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BU52092GWZ

更新时间： 2023-09-03 20:25:21

品牌	Logo	应用领域
罗姆 - ROHM		手机智能手机电脑
页数	文件大小	规格书
17页	901K
描述
两极检测霍尔IC用于检测S极或N极的磁场。通过组合本霍尔IC和磁铁，可以实现平板电脑和智能手机的盖开闭检测功能等。

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BU52092GWZ 数据手册

BU52092GWZ

Physical Dimension, Tape and Reel Information

Package Name

UCSP35L1

Unit [mm]

< Tape and Reel Information >

Tape

Embossed carrier tape

Quantity

3000pcs

Direction of feed

The direction is the pin 1 of product is at the upper left when you

hold reel on the left hand and you pull out the tape on the right

hand

www.rohm.com

TSZ02201-0M2M0F416020-1-2

8.Aug.2016 Rev.001

13/14

TSZ22111 • 15 • 001

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BU52092GWZ-E2	ROHM	获取价格	Hall Effect Sensor, 1.2mT Min, 3.2mT Max, 0.2-1.6V, Square, Surface Mount, UCSP-4
BU52095GWZ	ROHM	获取价格	两极检测霍尔IC用于检测S极或N极的磁场。通过组合本霍尔IC和磁铁，可以实现平板电脑和智能
BU52097GWZ	ROHM	获取价格	两极检测霍尔IC用于检测S极或N极的磁场。通过组合本霍尔IC和磁铁，可以实现平板电脑和智能
BU52098GWZ	ROHM	获取价格	两极检测霍尔IC用于检测S极或N极的磁场。通过组合本霍尔IC和磁铁，可以实现平板电脑和智能
BU52098GWZ-E2	ROHM	获取价格	Hall Effect Sensor,
BU520XX_BD7411G_REVF	ROHM	获取价格	Omnipolar detection, Micro power operation (small current using intermittent operation met
BU52177GXZ-E2	ROHM	获取价格	Hall Effect Sensor, 10.1mT Min, 19mT Max, 0.2-1.6V, Square, Surface Mount, XCSP-4
BU522	ISC	获取价格	Silicon Darlington NPN Power Transistor
BU52216	MOTOROLA	获取价格	7A, 375V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
BU52216A	MOTOROLA	获取价格	Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 375V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast