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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | , |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.78 |
| 换向电压的临界上升率-最小值： | 10 V/us | 关态电压最小值的临界上升速率： | 200 V/us |
| 最大直流栅极触发电流： | 100 mA | 最大直流栅极触发电压： | 2.5 V |
| 最大维持电流： | 100 mA | 最大漏电流： | 5 mA |
| 最大通态电压： | 2.2 V | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最大均方根通态电流： | 12 A | 断态重复峰值电压： | 800 V |
| 子类别： | TRIACs | 表面贴装： | NO |
| 触发设备类型： | TRIAC | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BTW48-1200 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
50A, 1200V, SCR, TO-48 |
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| BTW48-1200M | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
SILICON CONTROLLED RECTIFIER,1.2KV V(DRM),50A I(T),TO-208AA |
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| BTW48-200 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
50A, 200V, SCR, TO-48 |
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| BTW48-200 | NJSEMI |
获取价格 |
GLASS PASSIVATED SILICON THYRISTORS |
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| BTW48-200M | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
SILICON CONTROLLED RECTIFIER,200V V(DRM),50A I(T),TO-208AA |
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| BTW48-400 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
50A, 400V, SCR, TO-48 |
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| BTW48-400 | NJSEMI |
获取价格 |
GLASS PASSIVATED SILICON THYRISTORS |
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| BTW48-400M | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
SILICON CONTROLLED RECTIFIER,400V V(DRM),50A I(T),TO-208AA |
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| BTW48-600 | NJSEMI |
获取价格 |
GLASS PASSIVATED SILICON THYRISTORS |
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| BTW48-600 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
50A, 600V, SCR, TO-48 |
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