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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | , |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.84 | 标称电路换相断开时间： | 50 µs |
| 最大直流栅极触发电流： | 60 mA | 最大直流栅极触发电压： | 3 V |
| 最大维持电流： | 30 mA | 最大漏电流： | 5 mA |
| 通态非重复峰值电流： | 500 A | 最大通态电流： | 50000 A |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 断态重复峰值电压： | 1200 V | 子类别： | Silicon Controlled Rectifiers |
| 表面贴装： | NO | 触发设备类型： | SCR |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BTW48-200 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
50A, 200V, SCR, TO-48 |
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| BTW48-200 | NJSEMI |
获取价格 |
GLASS PASSIVATED SILICON THYRISTORS |
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| BTW48-200M | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
SILICON CONTROLLED RECTIFIER,200V V(DRM),50A I(T),TO-208AA |
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| BTW48-400 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
50A, 400V, SCR, TO-48 |
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| BTW48-400 | NJSEMI |
获取价格 |
GLASS PASSIVATED SILICON THYRISTORS |
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| BTW48-400M | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
SILICON CONTROLLED RECTIFIER,400V V(DRM),50A I(T),TO-208AA |
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| BTW48-600 | NJSEMI |
获取价格 |
GLASS PASSIVATED SILICON THYRISTORS |
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| BTW48-600 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
50A, 600V, SCR, TO-48 |
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| BTW48-600M | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
SILICON CONTROLLED RECTIFIER,600V V(DRM),50A I(T),TO-208AA |
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| BTW48-800 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
50A, 800V, SCR, TO-48 |
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