5秒后页面跳转
BTW48-200M PDF预览

BTW48-200M

更新时间: 2024-11-25 19:41:43
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 栅极
页数 文件大小 规格书
4页 160K
描述
SILICON CONTROLLED RECTIFIER,200V V(DRM),50A I(T),TO-208AA

BTW48-200M 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:,
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.84最大直流栅极触发电流:60 mA
最大直流栅极触发电压:3 V最大维持电流:30 mA
最大漏电流:5 mA通态非重复峰值电流:500 A
最大通态电流:50000 A最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-55 °C断态重复峰值电压:200 V
子类别:Silicon Controlled Rectifiers表面贴装:NO
触发设备类型:SCRBase Number Matches:1

BTW48-200M 数据手册

 浏览型号BTW48-200M的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BTW48-200M的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BTW48-200M的Datasheet PDF文件第4页 

与BTW48-200M相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BTW48-400 STMICROELECTRONICS

获取价格

50A, 400V, SCR, TO-48
BTW48-400 NJSEMI

获取价格

GLASS PASSIVATED SILICON THYRISTORS
BTW48-400M STMICROELECTRONICS

获取价格

SILICON CONTROLLED RECTIFIER,400V V(DRM),50A I(T),TO-208AA
BTW48-600 NJSEMI

获取价格

GLASS PASSIVATED SILICON THYRISTORS
BTW48-600 STMICROELECTRONICS

获取价格

50A, 600V, SCR, TO-48
BTW48-600M STMICROELECTRONICS

获取价格

SILICON CONTROLLED RECTIFIER,600V V(DRM),50A I(T),TO-208AA
BTW48-800 STMICROELECTRONICS

获取价格

50A, 800V, SCR, TO-48
BTW48-800 NJSEMI

获取价格

GLASS PASSIVATED SILICON THYRISTORS
BTW48-800M STMICROELECTRONICS

获取价格

SILICON CONTROLLED RECTIFIER,800V V(DRM),50A I(T),TO-208AA
BTW50-1000 STMICROELECTRONICS

获取价格

63A, 1000V, SCR, TO-65