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BTW50-1000

更新时间: 2024-11-26 03:18:39
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 栅极
页数 文件大小 规格书
4页 90K
描述
63A, 1000V, SCR, TO-65

BTW50-1000 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:POST/STUD MOUNT, O-MUPM-D2
Reach Compliance Code:compliantHTS代码:8541.30.00.80
风险等级:5.84外壳连接:ANODE
标称电路换相断开时间:100 µs配置:SINGLE
关态电压最小值的临界上升速率:200 V/us最大直流栅极触发电流:150 mA
最大直流栅极触发电压:1.5 VJEDEC-95代码:TO-65
JESD-30 代码:O-MUPM-D2最大漏电流:12 mA
通态非重复峰值电流:800 A元件数量:1
端子数量:2最大通态电流:63000 A
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-40 °C
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:POST/STUD MOUNT认证状态:Not Qualified
最大均方根通态电流:63 A重复峰值关态漏电流最大值:20 µA
断态重复峰值电压:1000 V重复峰值反向电压:1000 V
子类别:Silicon Controlled Rectifiers表面贴装:NO
端子形式:SOLDER LUG端子位置:UPPER
触发设备类型:SCRBase Number Matches:1

BTW50-1000 数据手册

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