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BTP5401A3

更新时间： 2024-09-16 03:43:47

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全宇昕 - CYSTEKEC		晶体晶体管
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描述
General Purpose PNP Epitaxial Planar Transistor

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BTP5401A3 数据手册

Spec. No. : C307A3

Issued Date : 2003.06.27

Revised Date :

CYStech Electronics Corp.

Page No. : 1/4

General Purpose PNP Epitaxial Planar Transistor

BTP5401A3

Description

• The BTP5401A3 is designed for general purpose amplification.

• Large I_C, I_{C( Max)}= -0.6A

• High BV_CEO, BV_CEO= -150V

• Complementary to BTN5551A3

Symbol

Outline

BTP5401A3

TO-92

B：Base

C：Collector

E：Emitter

E B C

Absolute Maximum Ratings (Ta=25°C)

Parameter

Symbol

Limits

Unit

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

V^CBO

V^CEO

V^EBO

I^C

-160

-150

-5

Collector Current

-0.6

Power Dissipation

625

°C/W

°C

Thermal Resistance, Junction to Ambient

Junction Temperature

Storage Temperature

R^θJA

Tstg

200

150

-55~+150

°C

BTP5401A3

CYStek Product Specification

12 3 4

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