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BT169D/01

更新时间： 2024-02-04 20:56:23

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		/
页数	文件大小	规格书
13页	170K
描述
Silicon Controlled Rectifier, SCR

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BT169D/01 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	PLASTIC PACKAGE-3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.59	其他特性：	SENSITIVE GATE
配置：	SINGLE	最大直流栅极触发电流：	0.2 mA
JEDEC-95代码：	TO-92	JESD-30 代码：	O-PBCY-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	125 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
最大均方根通态电流：	0.8 A	参考标准：	IEC-60134
断态重复峰值电压：	400 V	重复峰值反向电压：	400 V
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	BOTTOM	触发设备类型：	SCR
Base Number Matches：	1

BT169D/01 数据手册

BT169D

SCR

19 March 2014

Product data sheet

1. General description

Planar passivated Silicon Controlled Rectifier with sensitive gate in a SOT54 (TO-92)

plastic package. This SCR is designed to be interfaced directly to microcontrollers, logic

ICs and other low power gate trigger circuits.

2. Features and benefits

Planar passivated for voltage ruggedness and reliability

Sensitive gate

Direct triggering from low power gate circuits and logic ICs

•

3. Applications

Ignition circuits

Lighting ballasts

Protection circuits

Switched Mode Power Supplies

•

4. Quick reference data

Table 1.

Symbol

Quick reference data

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

V_DRM

V_RRM

I_TSM

repetitive peak off-

state voltage

400

repetitive peak reverse

voltage

400

non-repetitive peak on- half sine wave; T_j(init)= 25 °C;

state current

t_p= 10 ms; Fig. 4; Fig. 5

I_T(AV)

average on-state

current

half sine wave; T_lead≤ 83 °C; Fig. 1

0.5

0.8

I_T(RMS)

RMS on-state current

half sine wave; T_lead≤ 83 °C; Fig. 2;

Fig. 3

Static characteristics

I_GTgate trigger current

V_D= 12 V; I_T= 10 mA; T_j= 25 °C;

Fig. 7

200

µA

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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BT169DAMO	NXP	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 0.8 A, 400 V, SCR, TO-92, PLASTIC, SPT, SC-43, TO-92 VARIANT
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